Gallium Antimonide GaSb

وصف

Gallium Antimonide GaSb, گروپ III-V جو هڪ سيميڪنڊڪٽر زنڪ-بلنڊ لٽيس ڍانچي سان گڏ، 6N 7N اعلي خالص گيليم ۽ اينٽيموني عناصر سان ٺهڪندڙ آهي، ۽ ايل اي سي طريقي سان ڪرسٽل ۾ وڌو ويو آهي سڌو طور تي منجمد ٿيل پولي ڪرسٽل لائن انٽ يا VGF طريقي سان EPD <1000cm سان.^-3.GaSb ويفر کي سلائي ڪري سگھجي ٿو ۽ پوءِ ٺاھي سگھجي ٿو سنگل ڪرسٽل ائنگوٽ مان ھڪڙي اعلي يونيفارميشن سان اليڪٽريڪل پيرا ميٽرز، منفرد ۽ مسلسل جالي جي جوڙجڪ، ۽ گھٽ نقص جي کثافت، سڀ کان وڌيڪ اضطراري انڊيڪس ٻين غير دھاتي مرکبن جي ڀيٽ ۾.GaSb صحيح يا بند رخ ۾ وسيع انتخاب سان پروسيس ڪري سگهجي ٿو، گهٽ يا وڌيڪ ڊاپ ڪنسنٽريشن، سٺي سطح ختم ڪرڻ ۽ MBE يا MOCVD ايپيٽڪسيل واڌ لاءِ.Gallium Antimonide substrate استعمال ڪيو پيو وڃي سڀ کان وڌيڪ جديد فوٽو آپٽڪ ۽ آپٽو اليڪٽرڪ ايپليڪيشنن ۾ جيئن ته فوٽو ڊيڪٽرن جي ٺاھڻ ۾، انفراريڊ ڊيڪٽرز، ڊگھي زندگي سان گڏ انفراريڊ ڊيڪٽر، اعلي حساسيت ۽ قابل اعتماد، فوٽو ريزسٽ جزو، انفراريڊ LEDs ۽ ليزر، ٽرانزسٽر، تھرمل سيل فوٽو وولٽڪ. ۽ thermo-photovoltaic نظام.

پهچائڻ

Gallium Antimonide GaSb at Western Minmetals (SC) Corporation n-type، p-type ۽ undoped semi-Insulating conductivity سان 2” 3“ ۽ 4” (50mm، 75mm، 100mm) قطر، اورينٽيشن <111> يا <100>، ۽ ويفر مٿاڇري سان جيئن-ڪٽ، ايچڊ، پالش يا اعليٰ معيار جي ايپيٽڪسي تيار ڪيل ختم.سڀئي سلائسون انفرادي طور تي سڃاڻپ لاء ليزر لکيل آهن.ان کان علاوه، polycrystalline gallium antimonide GaSb lump پڻ ڪسٽمائيز ڪيو ويو آهي مڪمل حل جي درخواست تي.

هاڻي انڪوائري

تفصيل

ٽيگ

ٽيڪنيڪل وضاحت

Gallium Antimonide

گي ايس بي

Gallium Antimonide GaSbسڀ کان وڌيڪ جديد فوٽو آپٽڪ ۽ آپٽو اليڪٽرونڪ ايپليڪيشنن ۾ استعمال ڪيو پيو وڃي، جهڙوڪ فوٽو ڊيڪٽرز، انفراريڊ ڊيڪٽرز، ڊگھي زندگي، اعلي حساسيت ۽ قابل اعتماد، فوٽو ريسٽ جزو، انفراريڊ ايل اي ڊيز ۽ ليزر، ٽرانزسٽر، تھرمل فوٽووولٽڪ سيل ۽ ٿرمو. - ڦوٽو وولٽڪ نظام.

	شيون	معياري وضاحت
1	ماپ	2"	3"	4"
2	قطر mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	واڌ جو طريقو	ايل اي سي	ايل اي سي	ايل اي سي
4	چالاڪت	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	اورينٽيشن	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	ٿولهه μm	500±25	600±25	800±25
7	اورينٽيشن فليٽ ايم ايم	16±2	22±1	32.5±1
8	سڃاڻپ فليٽ ايم ايم	8±1	11±1	18±1
9	متحرڪ cm2/Vs	200-3500 يا ضرورت مطابق
10	ڪيريئر ڪنسنٽريشن cm-3	(1-100) E17 يا جيئن گهربل
11	TTV μm وڌ ۾ وڌ	15	15	15
12	وڌ ۾ وڌ μm	15	15	15
13	وارپ μm وڌ ۾ وڌ	20	20	20
14	Dislocation density cm-2 وڌ ۾ وڌ	500	1000	2000
15	مٿاڇري ختم	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي
16	پيڪنگ	اڪيلو ويفر ڪنٽينر ايلومينيم بيگ ۾ بند ٿيل.

لينر فارمولا	گي ايس بي
ماليڪيولر وزن	191.48
کرسٽل جي جوڙجڪ	زنڪ مرکب
ظاهر	گرين ڪرسٽل ٿلهو
پگھلڻ وارو نقطو	710 ڊگري سينٽي گريڊ
ٽهڪندڙ نقطو	N/A
300K تي کثافت	5.61 g/cm³
توانائي خال	0.726 eV
اندروني مزاحمت	1E3 Ω-cm
CAS نمبر	12064-03-8
اي سي نمبر	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbويسٽرن مين ميٽلز (SC) ڪارپوريشن ۾ پيش ڪري سگھجي ٿو n-type، p-type ۽ 2” 3“ ۽ 4” (50mm، 75mm، 100mm) قطر، رخ، رخ <111> يا <100 جي ماپ ۾ اڻ ڇپيل نيم انسوليٽنگ چالکائي سان. >، ۽ ويفر مٿاڇري سان جيئن-ڪٽ، ايچڊ، پالش يا اعلي معيار جي ايپيٽيڪسي تيار ختم.سڀئي سلائسون انفرادي طور تي سڃاڻپ لاء ليزر لکيل آهن.ان کان علاوه، polycrystalline gallium antimonide GaSb lump پڻ ڪسٽمائيز ڪيو ويو آهي مڪمل حل جي درخواست تي.