گيليم فاسفائيڊ گيپ

وصف

Gallium Phosphide GaP، ٻين III-V مرڪب مواد وانگر منفرد برقي پراپرٽيز جو هڪ اهم سيمڪنڊڪٽر، thermodynamically مستحڪم ڪيوبڪ ZB ڍانچي ۾ ڪرسٽل ڪري ٿو، هڪ نارنگي-پيلو نيم شفاف ڪرسٽل مواد آهي جيڪو 2.26 eV (300K) جي اڻ سڌي طرح بينڊ گيپ سان گڏ آهي. 6N 7N اعلي خالص گيليم ۽ فاسفورس مان ٺهيل، ۽ Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) ٽيڪنڪ ذريعي سنگل ڪرسٽل ۾ وڌو ويو.گيلئم فاسفائيڊ ڪرسٽل ڊاپ ٿيل سلفر يا ٽيلوريئم کي حاصل ڪرڻ لاءِ n-قسم جي سيمي ڪنڊڪٽر، ۽ زنڪ کي پي-قسم جي چالاڪيءَ جي طور تي ڊاپ ڪيو ويندو آهي وڌيڪ گهربل ويفر ۾ ٺاھڻ لاءِ، جنھن کي اپٽيڪل سسٽم، اليڪٽرونڪ ۽ ٻين آپٽو اليڪٽرونڪس ڊوائيسز ۾ ايپليڪيشنون آھن.سنگل کرسٽل گيپ ويفر تيار ڪري سگھجي ٿو Epi-Ready توهان جي LPE، MOCVD ۽ MBE ايپيٽڪسيل ايپليڪيشن لاءِ.اعليٰ معيار وارو سنگل کرسٽل گيليم فاسفائيڊ GaP wafer p-type، n-type يا Undoped conductivity at Western Minmetals (SC) ڪارپوريشن 2″۽ 3″ (50mm، 75mm قطر) جي ماپ ۾ پيش ڪري سگھجي ٿو، اورينٽيشن <100>, <111 > جيئن-ڪٽ، پالش يا ايپي-تيار عمل جي مٿاڇري ختم سان.

درخواستون

روشني جي اخراج ۾ گھٽ موجوده ۽ اعلي ڪارڪردگي سان، Gallium phosphide GaP wafer آپٽيڪل ڊسپلي سسٽم لاءِ موزون آهي جيئن گهٽ قيمت ڳاڙهي، نارنگي ۽ سائي روشنيءَ واري ڊيوڊس (LEDs) ۽ پيلي ۽ سائي LCD جي backlight وغيره ۽ LED چپس جي پيداوار سان. گھٽ کان وچولي چمڪ، GaP پڻ وڏي پيماني تي استعمال ڪئي وئي آھي بنيادي ذيلي ذخيري لاء انفراريڊ سينسر ۽ مانيٽرنگ ڪئميرا جي پيداوار لاء.

هاڻي انڪوائري

تفصيل

ٽيگ

ٽيڪنيڪل وضاحت

گيليم فاسفائيڊ گيپ

اعليٰ معيار جو سنگل کرسٽل گيليم فاسفائيڊ گيپ ويفر يا سبسٽريٽ پي-قسم، n-قسم يا ويسٽرن منيٽلز (SC) ڪارپوريشن تي اڻ ڇپيل چالکائي 2″ ۽ 3″ (50mm، 75mm) قطر جي ماپ ۾ پيش ڪري سگھجي ٿو، اورينٽيشن <100> ، <111> ايلومينيم جي جامع بيگ ۾ بند ٿيل سنگل ويفر ڪنٽينر ۾ ڪٽ، ليپڊ، ايچڊ، پالش، ايپي-ريڊ پروسيس ٿيل سطح جي ختم سان يا مڪمل حل لاءِ ڪسٽمائيز وضاحتن جي طور تي.

نه.	شيون	معياري وضاحت
1	GaP سائيز	2"
2	قطر mm	50.8 ± 0.5
3	واڌ جو طريقو	ايل اي سي
4	ڪارڪردگي جو قسم	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si,Te)-ڊپ ٿيل، اڻ-ڊپ ٿيل
5	اورينٽيشن	<1 1 1> ± 0.5°
6	ٿولهه μm	(300-400) ± 20
7	مزاحمتي Ω-cm	0.003-0.3
8	اورينٽيشن فليٽ (OF) mm	16±1
9	سڃاڻپ فليٽ (IF) mm	8±1
10	هال موبلٽي cm2/Vs منٽ	100
11	ڪيريئر ڪنسنٽريشن سي ايم^-3	(2-20) E17
12	Dislocation density cm^-2وڌ ۾ وڌ	2.00E+05
13	مٿاڇري ختم	پي/اي، پي/پي
14	پيڪنگ	اڪيلو ويفر ڪنٽينر سيل ٿيل ايلومينيم جامع بيگ ۾، ڪارٽن باڪس ٻاهران

لينر فارمولا	جي پي
ماليڪيولر وزن	100.7
کرسٽل جي جوڙجڪ	زنڪ مرکب
ظاهر	نارنگي سڪل
پگھلڻ وارو نقطو	N/A
ٽهڪندڙ نقطو	N/A
300K تي کثافت	4.14 g/cm³
توانائي خال	2.26 eV
اندروني مزاحمت	N/A
CAS نمبر	12063-98-8
اي سي نمبر	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer، گهٽ موجوده ۽ اعلي ڪارڪردگي سان روشني جي اخراج ۾، آپٽيڪل ڊسپلي سسٽم لاءِ موزون آهي جيئن گهٽ قيمت ڳاڙهي، نارنگي ۽ سائي روشني خارج ڪرڻ واري ڊيوڊس (LEDs) ۽ پيلي ۽ سائي LCD وغيره جي پٺڀرائي ۽ LED چپس جي پيداوار گهٽ کان وچولي سان. چمڪ، GaP پڻ وڏي پيماني تي استعمال ڪيو ويو آهي بنيادي ذيلي ذخيري لاء انفراريڊ سينسر ۽ مانيٽرنگ ڪئميرا جي پيداوار لاء.