Indium Antimonide InSb

وصف

Indium Antimonide InSb, گروپ III-V ڪرسٽلائن مرکبات جو هڪ سيميڪنڊڪٽر زنڪ-بلنڊ لٽيس ڍانچي سان گڏ، 6N 7N اعلي خالص انڊيم ۽ انٽيموني عناصر سان ٺهڪندڙ آهي، ۽ سنگل ڪرسٽل کي VGF طريقي سان يا Liquid Encapsulated Czochralski LEC طريقي سان ڪيترن ئي زون کان ريفائنڊ پوليٽريڪوٽ، جنهن کي ڪُٽي سگهجي ٿو ۽ ٺاهي سگهجي ٿو ويفر ۾ ۽ بعد ۾ بلاڪ.InSb هڪ سڌي منتقلي سيميڪنڊڪٽر آهي جنهن ۾ ڪمري جي گرمي پد تي 0.17eV جي تنگ بينڊ گيپ، 1–5μm موج جي ويڪرائي ۽ الٽرا هاءِ هال موبلٽي لاءِ اعليٰ حساسيت آهي.انڊيم انٽيمونائيڊ InSb n-type، p-type ۽ نيم انسوليٽنگ چالکائي ويسٽرن منيٽلز (SC) ڪارپوريشن تي 1″ 2″ 3″ ۽ 4″ (30mm، 50mm، 75mm، 100mm) قطر جي ماپ ۾ پيش ڪري سگھجي ٿو، اورينٽيشن < 111> يا <100>، ۽ ويفر جي مٿاڇري سان جيئن-ڪٽ، لپڊ، ايچڊ ۽ پالش ٿيل.Indium Antimonide InSb ٽارگيٽ Dia.50-80mm سان گڏ اڻ-ڊاپڊ اين-قسم پڻ موجود آهي.ان دوران، پولي ڪرسٽل لائن انڊيم انٽيمونائيڊ InSb (ملٽي ڪرسٽل InSb) بي ترتيب ڍڳي جي سائيز سان، يا خالي (15-40) x (40-80)mm، ۽ D30-80mm جي گول بار پڻ مڪمل حل جي درخواست تي ترتيب ڏنل آهن.

درخواست

Indium Antimonide InSb ڪيترن ئي جديد ترين حصن ۽ ڊوائيسز جي پيداوار لاءِ هڪ مثالي سبسٽريٽ آهي، جهڙوڪ ترقي يافته حرارتي تصويري حل، FLIR سسٽم، هال عنصر ۽ مقناطيسي اثر عنصر، انفراريڊ هومنگ ميزائل گائيڊ لائين سسٽم، انتهائي جوابي انفراريڊ فوٽو ڊيڪٽر سينسر. , اعلي صحت واري مقناطيسي ۽ روٽري مزاحمتي سينسر، فوڪل پلانر صفون، ۽ پڻ terahertz تابڪاري ماخذ ۽ انفراريڊ astronomical space telescope وغيره ۾ ترتيب ڏنل.

هاڻي انڪوائري

تفصيل

ٽيگ

ٽيڪنيڪل وضاحت

انڊيم انٽيمونائيڊ

InSb

Indium Antimonide Substrate(InSb Substrate، InSb Wafer) n-type يا p-type at Western Minmetals (SC) Corporation 1" 2" 3" ۽ 4" (30, 50, 75 ۽ 100mm) قطر جي ماپ ۾ پيش ڪري سگھجي ٿو، واقفيت <111> يا <100>، ۽ ليپ ٿيل، ايچ ٿيل، پالش ٿيل ختم جي ويفر سطح سان، انڊيم اينٽيمونائيڊ سنگل ڪرسٽل بار (InSb Monocrystal bar) پڻ درخواست تي فراهم ڪري سگھجي ٿو.

انڊيم انٽيمونائيڊPolycrystalline (InSb Polycrystalline، يا multicrystal InSb) بي ترتيب ڍڳي جي سائيز سان، يا خالي (15-40)x (40-80)mm پڻ مڪمل حل جي درخواست تي ترتيب ڏنل آهن.

ان دوران، انڊيم انٽيمونائيڊ ٽارگيٽ (InSb ٽارگيٽ) Dia.50-80mm جو اڻ-ڊاپڊ n-قسم سان پڻ موجود آهي.

نه.	شيون	معياري وضاحت
1	Indium Antimonide Substrate	2"	3"	4"
2	قطر mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	واڌ جو طريقو	ايل اي سي	ايل اي سي	ايل اي سي
4	چالاڪت	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	اورينٽيشن	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	ٿولهه μm	500±25	600±25	800±25
7	اورينٽيشن فليٽ ايم ايم	16±2	22±1	32.5±1
8	سڃاڻپ فليٽ ايم ايم	8±1	11±1	18±1
9	متحرڪ cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 or ≤8E13 P/Ge-doped
10	ڪيريئر ڪنسنٽريشن cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 or <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm وڌ ۾ وڌ	15	15	15
12	وڌ ۾ وڌ μm	15	15	15
13	وارپ μm وڌ ۾ وڌ	20	20	20
14	Dislocation density cm-2 وڌ ۾ وڌ	50	50	50
15	مٿاڇري ختم	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي
16	پيڪنگ	اڪيلو ويفر ڪنٽينر ايلومينيم بيگ ۾ بند ٿيل.

نه.	شيون	معياري وضاحت
نه.	شيون	Indium Antimonide Polycrystalline	Indium Antimonide ٽارگيٽ
1	چالاڪت	اڻڄاتل	اڻڄاتل
2	ڪيريئر ڪنسنٽريشن سي ايم^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	متحرڪ سي ايم²/ بمقابلہ	5-7E5	6.9-7.9E4
4	ماپ	15-40x40-80 ملي ميٽر	ڊي (50-80) ملي ايم
5	پيڪنگ	جامع المونيم بيگ ۾، ٻاهر carton باڪس

لينر فارمولا	InSb
ماليڪيولر وزن	236.58
کرسٽل جي جوڙجڪ	زنڪ مرکب
ظاهر	ڳاڙهي گرين دھاتي ڪرسٽل
پگھلڻ وارو نقطو	527 °C
ٽهڪندڙ نقطو	N/A
300K تي کثافت	5.78 g/cm³
توانائي خال	0.17 eV
اندروني مزاحمت	4E(-3) Ω-cm
CAS نمبر	1312-41-0
اي سي نمبر	215-192-3

Indium Antimonide InSbويفر ڪيترن ئي جديد ترين حصن ۽ ڊوائيسز جي پيداوار لاءِ هڪ مثالي سبسٽرٽ آهي، جهڙوڪ ترقي يافته حرارتي تصويري حل، FLIR سسٽم، هال عنصر ۽ مقناطيس مزاحمتي اثر عنصر، انفراريڊ هومنگ ميزائل گائيڊنگ سسٽم، انتهائي جوابي انفراريڊ فوٽو ڊيڪٽر سينسر، اعليٰ -پريزيئن مقناطيسي ۽ روٽري مزاحمتي سينسر، فوڪل پلانر ايري، ۽ پڻ terahertz تابڪاري ماخذ جي طور تي ۽ انفراريڊ astronomical space telescope وغيره ۾.