Gallium Arsenide GaAs

وصف

Gallium ArsenideGaAs هڪ آهي گروپ III-V جو سڌو بينڊ گپ ڪمپائونڊ سيميڪنڊڪٽر، گھٽ ۾ گھٽ 6N 7N اعلي خالص گيليم ۽ آرسنڪ عنصر پاران ٺھيل آھي، ۽ VGF يا LEC پروسيس ذريعي اڀريل ڪرسٽل اعلي پاڪائي واري پولي ڪرسٽل گيلئم آرسنائيڊ، گرين رنگ جي ظاھر، ڪعبي ڪرسٽل زنڪ بلينڊ جي جوڙجڪ سان.ڪاربن، سلڪون، ٽيليوريم يا زنڪ جي ڊاپنگ سان ترتيبوار n-type يا p-type ۽ نيم انسوليٽنگ چالکائي حاصل ڪرڻ لاءِ، هڪ سلنڊرل InAs ڪرسٽل کي سلائي ڪري سگھجي ٿو ۽ خالي ۽ ويفر ۾ جيئن-ڪٽ، ايچڊ، پالش يا ايپي. MBE يا MOCVD epitaxial ترقي لاء تيار.Gallium Arsenide wafer بنيادي طور تي استعمال ڪيو ويندو آهي اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جهڙوڪ انفراريڊ لائٽ ايميٽنگ ڊيوڊس، ليزر ڊيوڊس، آپٽيڪل ونڊوز، فيلڊ-اثر ٽرانسسٽرز FETs، لڪير آف ڊجيٽل ICs ۽ سولر سيلز.GaAs جزا الٽرا هاءِ ريڊيو فريڪوئنسيز ۽ تيز اليڪٽرانڪ سوئچنگ ايپليڪيشن، ڪمزور سگنل امپليڪشن ايپليڪيشنن ۾ ڪارآمد آهن.ان کان علاوه، Gallium Arsenide substrate هڪ مثالي مواد آهي آر ايف اجزاء، مائڪرو ويڪرو فريڪوئنسي ۽ مونوليٿڪ ICs، ۽ LEDs ڊوائيسز ۾ نظرياتي ڪميونيڪيشن ۽ ڪنٽرول سسٽم ۾ ان جي سٿرينگ هال جي متحرڪ، اعلي طاقت ۽ گرمي جي استحڪام لاء.

پهچائڻ

Gallium Arsenide GaAs at Western Minmetals (SC) ڪارپوريشن کي 2” 3” 4“ ۽ 6” (50mm، 75mm، 100mm، 150mm) قطر، p-type، n-type يا نيم-Insulating conductivity سان، ۽ <111> يا <100> رخ.ڪسٽمائيز specification پوري دنيا ۾ اسان جي گراهڪن لاء ڀرپور حل لاء آهي.

هاڻي انڪوائري

تفصيل

ٽيگ

ٽيڪنيڪل وضاحت

Gallium Arsenide

GaAs

Gallium Arsenide GaAswafers بنيادي طور تي اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ٺاهڻ لاء استعمال ڪيا ويا آهن جيئن ته انفراريڊ روشني واري ڊيوڊس، ليزر ڊيوڊس، آپٽيڪل ونڊوز، فيلڊ-اثر ٽرانزيسٽر FETs، ڊجيٽل ICs جي لڪير ۽ شمسي سيلز.GaAs جزا الٽرا هاءِ ريڊيو فريڪوئنسيز ۽ تيز اليڪٽرانڪ سوئچنگ ايپليڪيشن، ڪمزور سگنل امپليڪشن ايپليڪيشنن ۾ ڪارآمد آهن.ان کان علاوه، Gallium Arsenide substrate هڪ مثالي مواد آهي آر ايف اجزاء، مائڪرو ويڪرو فريڪوئنسي ۽ مونوليٿڪ ICs، ۽ LEDs ڊوائيسز ۾ نظرياتي ڪميونيڪيشن ۽ ڪنٽرول سسٽم ۾ ان جي سٿرينگ هال جي متحرڪ، اعلي طاقت ۽ گرمي جي استحڪام لاء.

نه.	شيون	معياري وضاحت
1	ماپ	2"	3"	4"	6"
2	قطر mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	واڌ جو طريقو	وي جي ايف	وي جي ايف	وي جي ايف	وي جي ايف
4	ڪارڪردگي جو قسم	N-Type/Si يا Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	اورينٽيشن	(100) ±0.5°	(100) ±0.5°	(100) ±0.5°	(100) ±0.5°
6	ٿولهه μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	اورينٽيشن فليٽ ايم ايم	17±1	22±1	32±1	نشان
8	سڃاڻپ فليٽ ايم ايم	7±1	12±1	18±1	-
9	مزاحمتي Ω-cm	(1-9)E(-3) p-type يا n-type لاءِ، (1-10)E8 نيم موصلي لاءِ
10	متحرڪ cm2/vs	50-120 p-قسم لاءِ، (1-2.5)E3 ن-قسم لاءِ، ≥4000 نيم انسوليٽنگ لاءِ
11	ڪيريئر ڪنسنٽريشن cm-3	(5-50)E18 p-type لاءِ، (0.8-4)E18 ن-قسم لاءِ
12	TTV μm وڌ ۾ وڌ	10	10	10	10
13	وڌ ۾ وڌ μm	30	30	30	30
14	وارپ μm وڌ ۾ وڌ	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	مٿاڇري ختم	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي	پي/اي، پي/پي
17	پيڪنگ	اڪيلو ويفر ڪنٽينر ايلومينيم جامع بيگ ۾ بند ٿيل.
18	ريمارڪس	ميڪيڪل گريڊ GaAs ويفر پڻ درخواست تي دستياب آهي.

لينر فارمولا	GaAs
ماليڪيولر وزن	144.64
کرسٽل جي جوڙجڪ	زنڪ مرکب
ظاهر	گرين ڪرسٽل ٿلهو
پگھلڻ وارو نقطو	1400°C، 2550°F
ٽهڪندڙ نقطو	N/A
300K تي کثافت	5.32 g/cm³
توانائي خال	1.424 eV
اندروني مزاحمت	3.3E8 Ω-cm
CAS نمبر	1303-00-0
اي سي نمبر	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsويسٽرن مين ميٽلز (SC) ڪارپوريشن ۾ پولي ڪرسٽل لمپ يا سنگل ڪرسٽل ويفر جي طور تي ڪٽ، ايچڊ، پالش، يا ايپي-ريڊي ويفرز 2” 3“ 4” ۽ 6“ (50mm، 75mm، 100mm) جي سائيز ۾ فراهم ڪري سگھجن ٿا. , 150mm) قطر، p-type، n-type يا نيم-Insulating conductivity سان، ۽ <111> يا <100> رخ.ڪسٽمائيز specification پوري دنيا ۾ اسان جي گراهڪن لاء ڀرپور حل لاء آهي.